12 月 21 日消息，三星电子今日宣布，已成功开发出其首款采用 12 纳米（nm）工艺技术打造的 16Gb DDR5 DRAM，并与 AMD 完成了兼容性方面的产品评估工作。
三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 Jooyoung Lee 表示：“三星的新型 12nm DRAM 产品将成为推动 DDR5 内存占领市场的推动力。凭借卓越的性能和能效，我们希望三星的新型 DRAM 能够成为下一代计算、数据中心和人工智能系统的基础”
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这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加元件电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的 EUV（极紫外光刻）技术，新型 DRAM 将具有业界最高的芯片密度，可将晶圆的产出率提高 20%。
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同时基于 DDR5 最新标准，三星 12nm 级 DRAM 速度将高达 7.2 千兆每秒（Gbps）。
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能效方面，与上一代三星 DRAM 产品相比，12nm 级 DRAM 的功耗降低约 23%。
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随着 2023 年新款 DRAM 量产，三星计划将这一基于先进 12nm 级工艺技术的 DRAM 产品扩展到更广泛的市场领域。
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一句话总结：性能更高了，容量更大了，价格更贵了。
附录
参考链接
- Samsung Electronics Develops Industry’s First 12nm-Class DDR5 DRAM - Samsung Newsroom
- 三星宣布首款 12 纳米级 DDR5 DRAM 开发成功，速度达 7.2Gbps - IT之家
- 买内存只知道看容量和频率？其实颗粒更重要 - 闪德资讯
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最后编辑时间： 2022-12-21 22:16 PM